新品 | 合用于AI服务器等高机能服务器电源的MOSFET ~实现业界超低导通电阻和超宽SOA领域~
2025-05-09 12:00
新品 | 合用于AI服务器等高机能服务器电源的MOSFET
~实现业界超低导通电阻和超宽SOA领域~
全球驰名半导体造作商ROHM(总部位于日本京都市)面向企业级高机能服务器和AI服务器电源,,,,,,,开发出实现了业界超低导通电阻*1和超宽SOA领域*2的Nch功率MOSFET*3。。。。。。
新产品共3款机型,,,,,,,蕴含极度合用于企业级高机能服务器12V系统电源的AC-DC转换电路二次侧和热插拔节造器(HSC)*4电路的“RS7E200BG”(30V),,,,,,,以及极度合用于AI服务器48V系统电源的AC-DC转换电路二次侧的“RS7N200BH(80V)”和“RS7N160BH(80V)”。。。。。。

随着高级数据处置技术的进取和数字化转型的加快,,,,,,,对支持数据中心的服务器的需要不休增长。。。。。。此表,,,,,,,对拥有高级推算能力的AI处置服务器的需要也呈增长趋向,,,,,,,预计将来将会持续增长。。。。。。由于这些服务器必要24幼时不间断运行(始终通电),,,,,,,因而电源单元中使用的多个MOSFET的导通电阻造成的导通损耗,,,,,,,会对系统整体机能和能效产生很大影响。。。。。。
出格是在AC-DC转换电路中,,,,,,,其导通损耗占比力高,,,,,,,因而必要使用导通电阻低的MOSFET。。。。。。另表,,,,,,,服务器建设了热插拔职能,,,,,,,能够在通电状态下更换和守护内部的板卡和存储设备,,,,,,,在更换等情况下,,,,,,,服务器内部会产生较大的浪涌电流*5。。。。。。
因而,,,,,,,更大的安全工作区领域(宽SOA领域)对于�;;;;;;し衿髂诓亢蚆OSFET而言至关沉要。。。。。。对此,,,,,,,ROHM新开发出一种DFN5060-8S封装,,,,,,,与以往封装大局相比,,,,,,,封装内部的芯片可用面积增长,,,,,,,从而开发出实现业界超低导通电阻和宽SOA领域的功率MOSFET。。。。。。新产品极度有助于提高服务器电源电路的效能和靠得住性。。。。。。
新产品均选取新开发的DFN5060-8S(5.0mm×6.0mm)封装,,,,,,,与以往的HSOP8(5.0mm×6.0mm)封装相比,,,,,,,封装内的芯片可用面积增长了约65%。。。。。。这使得新产品可能以5.0mm×6.0mm的封装尺寸实现业界超低导通电阻,,,,,,,30V产品“RS7E200BG”的导通电阻仅为0.53mΩ(Typ.),,,,,,,80V产品“RS7N200BH”仅为1.7mΩ(Typ.),,,,,,,极度有助于提高服务器电源电路的效能。。。。。。
另表,,,,,,,通过优化封装内部的夹片状态设计,,,,,,,提高了散热机能,,,,,,,同时提高了有助于确保利用产品靠得住性的SOA领域。。。。。。尤其是30V产品“RS7E200BG”,,,,,,,其SOA领域达70A以上(前提:脉冲宽度=1ms、VDS=12V时),,,,,,,与以往的HSOP8封装产品相比,,,,,,,在一样前提下SOA领域提高了一倍,,,,,,,从而以5.0mm×6.0mm的封装尺寸实现了业界超高的SOA领域。。。。。。
新产品已经暂以月产100万个的规模投入量产(样品价值:710日元/个,,,,,,,不含税)。。。。。。前路工序的出产基地为ROHM Co., Ltd.(日本滋贺工厂),,,,,,,后路工序的出产基地为OSAT(泰国)。。。。。。另表,,,,,,,新产品已经起头通过电商进行销售,,,,,,,通过Oneyac、Sekorm等电商平台均可采办。。。。。。
ROHM打算在2025年内逐步实现也支持AI服务器热插拔节造器电路利用的功率MOSFET的量产。。。。。。将来,,,,,,,ROHM将持续扩大有关产品阵容,,,,,,,为利用产品的高效运行和靠得住性提升贡献力量。。。。。。
产品阵容

查看详情 | RS7E200BG |
RS7N200BH | RS7N160BH |
关于EcoMOS?品牌
EcoMOS?是ROHM开发的Si功率MOSFET品牌,,,,,,,极度合用于功率元器件领域对节能要求高的利用。。。。。。EcoMOS?产品阵容丰硕,,,,,,,已被宽泛用于家用电器、工业设备和车载等领域。。。。。。�?????突Э善揪堇眯枰�,,,,,,,通过噪声机能和开关机能等各类参数从产品阵容当选择产品。。。。。。

?EcoMOS?是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。。。。。。
利用示例
?企业级高机能服务器12V系统电源的AC-DC转换电路和HSC电路
?AI(人为智能)服务器48V系统电源的AC-DC转换电路
?工业设备48V系统电源(电扇电机等)
术语解说
*1)导通电阻(RDS(on))
MOSFET启动时漏极与源极之间的电阻值。。。。。。该值越幼,,,,,,,运行时的损耗(电力损耗)越少。。。。。。
*2)SOA(Safe Operating Area)领域
元器件不败坏且可安全工作的电压和电流领域。。。。。。超出该安全工作区工作可能会导致热失控或败坏,,,,,,,出格是在会产生浪涌电流和过电流的利用中,,,,,,,必要思考SOA领域。。。。。。
*3)功率MOSFET
合用于功率转换和开关利用的一种MOSFET。。。。。。目前,,,,,,,通过给栅极施加相对于源极的正电压而导通的Nch MOSFET是主流产品,,,,,,,相比Pch MOSFET,,,,,,,拥有导通电阻幼、效能高的特点。。。。。。因其可实现低损耗和高速开关而被宽泛用于电源电路、电机驱动电路和逆变器蹬爪用。。。。。。
*4)热插拔节造器(HSC:Hot Swap Controller)
可在设备的供电系统运行状态下插入或拆卸元器件的、拥有热插拔职能的专用IC(集成电路),,,,,,,阐扬着节造插入元器件时产生的浪涌电流,,,,,,,并�;;;;;;は低澈退谓釉骷某烈饔谩!!�。。。
*5)浪涌电流(Inrush Current)
在电子设备接通电源时,,,,,,,瞬间流过的超过额定电流值的大电流。。。。。。因其会给电源电路中的元器件造成负荷,,,,,,,所以通过节造浪涌电流,,,,,,,可预防设备败坏并提高系统不变性。。。。。。
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